聚焦大应用方向第三代半导体发展提速

近日，我国在2023中关村论坛“北京（国际）第三代半导体创新发展论坛”上，科学技术部党组成员、副部长相里斌强调，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料具有出色的性能，并在新能源汽车、信息通讯、智能电网等领域具有巨大的市场潜力。他提出，“十三五”期间已基本解决我国第三代半导体产品和相关装备的供应问题，而“十四五”时期则将着重解决其“能否使用”和“使用效果”的问题，以及提高可持续创新能力。

此外，相里斌还指出，随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向物理极限，未来十年以第三代半导体为代表的新材料发展将重塑市场格局，并带来新的机遇。太空技术、生物技术以及生成式等颠覆性技术持续突破，其底层核心都是半导体技术。

业内专家认为，第三代半导体已经成为新能源汽车、智能电网、先进制造、移动通信、新型显示等产业创新发展的新引擎，支撑我国实现“双碳”目标，推动数字化、网络化、智能化融合发展。以北京市顺义区为例，该区已初步形成从装备到材料、芯片、模组，封装检测及下游应用的产业链布局，聚集了国联万众、泰科天润、瑞能半导体、特思迪等20余家重点企业。

北京市面向国家发展战略需求，加强第三代半导体核心关键技术攻关、产业生态建设、应用场景拓展，推动在京形成第三代半导体技术高地与高水平产业集群。专家建议，一方面需要推动示范应用，打通产业链条，提高产业竞争力；另一方面需要集聚技术、人才等创新要素，坚持开放创新，积极推动国际科技交流与合作。

在此次论坛上，国联万众碳化硅功率芯片二期、晶格领域液相法碳化硅衬底生产、特思迪减薄-抛光-CMP设备生产二期、铭镓半导体氧化镓衬底及外延片生产项目等6个产业项目成功签约，预计总投资近18亿元。

然而，我国第三代半导体发展仍面临产业分布散、材料装备验证能力弱、工程技术人员缺乏等问题。推动第三代半导体产业发展需聚焦重点市场，加强产业链协同创新，以创新驱动产业高质量发展，实现关键核心技术突破。